FDS6912A,1095019,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDS6912A - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDS6912A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDS6912A
仓库库存编号:
1095019
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDS6912A产品概述

The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench? MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Fast switching speed
  • Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability
  • ±20V Gate source voltage (VGSS)
  • 78°C/W Thermal resistance, junction to ambient
  • 40°C/W Thermal resistance, junction to case

工业, 电源管理

FDS6912A产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS(上)  0.019ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.9V  
  功耗 Pd  1.6W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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FDS6912A参考库存及参考价格

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25000 +  ¥2.67 
50000 +  ¥2.64 
电话:400-900-3095
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FDS6912A产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000223
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