FDV303N,9845020,晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FDV303N - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDV303N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDV303N
仓库库存编号：
9845020
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FDV303N产品概述

Fairchild公司的FDV303N是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件. 甚至当栅极驱动电压低至2.5V时, 此设备具有卓越的通导电阻, 设计用于电池电路, 电路可采用一块锂电池,或三个镉电池,或NHM电池, 另有逆变器, 高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.
  • 漏极至源极电压: 25V
  • 栅-源电压：8V
  • 持续漏电流(ld): 680mA
  • 功率耗散: 350mW
  • 低导通电阻: 330mohm, Vgs 4.5V
  • 工作温度范围: -55°C至150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

FDV303N产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  680mA  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS（上）  0.33ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  800mV  
  功耗 Pd  350mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FDV303N产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000035
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