FQB27P06TM,1611477,晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQB27P06TM - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQB27P06TM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQB27P06TM
仓库库存编号:
1611477
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQB27P06TM产品概述

The FQB27P06TM is a -60V P-channel QFET? enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested
  • 175°C Rated junction temperature

电源管理, 照明, 音频, 电机驱动与控制

FQB27P06TM产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -27A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  0.055ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  120W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FQB27P06TM产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.002055
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