FQD1N60CTM,2322627,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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4.7μF 63V 5mm
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FQD1N60CTM
FQD1N60CTM -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：
FQD1N60CTM
仓库库存编号：
2322627
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQD1N60CTM产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
1A
漏源电压, Vds
600V
在电阻RDS（上）
9.3ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
2V
功耗 Pd
28W
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
FQD1N60CTM关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
573100D00010G
1703173
AAVID THERMALLOY
散热器, 方形, 电路板, 表面安装, TO-252, 15 °C/W, 10 mm, 22.86 mm, 8 mm
(EN)
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电流, Id 连续 1A
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漏源电压, Vds 600V
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在电阻RDS（上） 9.3ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 2V
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功耗 Pd 28W
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晶体管封装类型 TO-252
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针脚数 3引脚
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Q Q：
800152669
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FQD1N60CTM产地与重量
原产地：
South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.01
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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