FQD1N60CTM,2322627,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQD1N60CTM - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD1N60CTM
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制造商产品编号:
FQD1N60CTM
仓库库存编号:
2322627
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQD1N60CTM产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  9.3ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  28W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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FQD1N60CTM参考库存及参考价格

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FQD1N60CTM产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.01
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