FQP12N60C,1095057,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQP12N60C - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 530 mohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQP12N60C
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制造商产品编号:
FQP12N60C
仓库库存编号:
1095057
技术数据表:
(EN)
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FQP12N60C产品概述

The FQP12N60C is a 600V N-channel QFET? enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested
  • Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
  • Switching loss improvements
  • Lower conduction loss

电源管理, 照明

FQP12N60C产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  12A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  530mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  225W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQP12N60C产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002033
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