FQP30N06L -

晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
制造商产品编号：: FQP30N06L
仓库库存编号：: 2453442
技术数据表：: (EN)

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FQP30N06L产品概述

The FQP30N06L is a QFET? N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.

Low gate charge
100% Avalanche tested
Low crss (typical 50pF)
±20V Gate-source voltage

电源管理, 电机驱动与控制

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	32A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	27mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	2.5V
功耗 Pd	79W
晶体管封装类型	TO-220AB
针脚数	3引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

FQP30N06L -

晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V

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FQP30N06L产品信息

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MULTICOMP

散热器, 方形, 电路板, 挤压, TO-220, 8.8 °C/W, 50 mm, 34.53 mm, 12.53 mm

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FQP30N06L产地与重量

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