FQP5N60C.,1095069,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQP5N60C. - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQP5N60C.
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制造商产品编号:
FQP5N60C.
仓库库存编号:
1095069
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQP5N60C.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  4.5A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  2ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  100W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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FQP5N60C.产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002042
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