FQPF9N50CF,2453911,晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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FQPF9N50CF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQPF9N50CF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQPF9N50CF
仓库库存编号:
2453911
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQPF9N50CF产品概述

The FQPF9N50CF is a 500V N-channel QFET? enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested
  • Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
  • Switching loss improvements
  • Lower conduction loss
  • Fast recovery body diode

电源管理, 照明

FQPF9N50CF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  9A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS(上)  0.7ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  44W  
  晶体管封装类型  TO-220F  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQPF9N50CF产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000907
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