FQU11P06,9846166,晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

FQU11P06 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQU11P06
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQU11P06
仓库库存编号:
9846166
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FQU11P06产品概述

The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET? enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested

电源管理, 照明, 电机驱动与控制, 音频

FQU11P06产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  9.4A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  185mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  38W  
  晶体管封装类型  TO-251AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

FQU11P06替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

FQU11P06相关搜索

晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 9.4A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电流, Id 连续 9.4A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 9.4A  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 9.4A   漏源电压, Vds -60V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS(上) 185mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 在电阻RDS(上) 185mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 185mohm  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 185mohm   电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 阈值电压 Vgs -4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V   功耗 Pd 38W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功耗 Pd 38W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 38W  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 38W   晶体管封装类型 TO-251AA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 晶体管封装类型 TO-251AA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-251AA  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-251AA   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQU11P06产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000941
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com