HGTG20N60B3D,9846603,单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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HGTG20N60B3D - 

单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD HGTG20N60B3D
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制造商产品编号:
HGTG20N60B3D
仓库库存编号:
9846603
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HGTG20N60B3D产品概述

The HGTG20N60B3D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25° C and 150° C. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 140ns at TJ = 150°C Fall time

电机驱动与控制, 电源管理, 工业

HGTG20N60B3D产品信息

  集电极直流电流  40A  
  集电极发射饱和电压, Vce  1.8V  
  功耗 Pd  165W  
  集电极发射电压, Vceo  600V  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

HGTG20N60B3D产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00567
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