HGTG27N120BN,1470994,单晶体管, IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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HGTG27N120BN - 

单晶体管, IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD HGTG27N120BN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HGTG27N120BN
仓库库存编号:
1470994
技术数据表:
(EN)
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HGTG27N120BN产品概述

The HGTG27N120BN is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 140ns at TJ = 150°C Fall time

电机驱动与控制, 电源管理, 工业

HGTG27N120BN产品信息

  集电极直流电流  72A  
  集电极发射饱和电压, Vce  2.7V  
  功耗 Pd  500W  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

HGTG27N120BN产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00499
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