NDP6020P,1017724,晶体管, MOSFET, P沟道, 24 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -700 mV,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDP6020P - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 24 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -700 mV

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDP6020P
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制造商产品编号:
NDP6020P
仓库库存编号:
1017724
技术数据表:
(EN)
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NDP6020P产品概述

The NDP6020P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
  • Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
  • Internal source drain diode can eliminate need for an external Zener diode transient suppressor
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)

车用, 电源管理, 电机驱动与控制

NDP6020P产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  24A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.041ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -700mV  
  功耗 Pd  60W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
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NDP6020P产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002041
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