NDS356AP,9846409,晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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NDS356AP - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD NDS356AP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDS356AP
仓库库存编号:
9846409
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDS356AP产品概述

The NDS356AP is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. Suitable for low voltage applications such as battery powered circuits for fast high side switching and low in-line power loss.
  • High density cell design for extremely low RDS (ON)
  • Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
  • ±20V Gate-source voltage

电源管理, 便携式器材, 计算机和计算机周边

NDS356AP产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  1.1A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  300mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2V  
  功耗 Pd  500mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NDS356AP参考库存及参考价格

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NDS356AP产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000042
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