SI4435DY.,1653655RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V,ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
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SI4435DY. - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD SI4435DY.
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI4435DY.
仓库库存编号:
1653655RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4435DY.产品概述

The SI4435DY is a -30V P-channel PowerTrench? MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench? MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Low gate charge
  • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
  • High power and current handling capability

电源管理

SI4435DY.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -8.8A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  15mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.7V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4435DY.产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000215
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