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TWR-MEM - 

Memory Tower System Module

NXP TWR-MEM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
NXP NXP
制造商产品编号：
TWR-MEM
仓库库存编号：
1823922
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TWR-MEM产品概述

TWR-MEM是一个塔式系统内存模块，它是飞思卡尔的塔式系统中的一种通过可重构硬件的模块化开发平台，允许快速原型设计和工具再利用的一个部分。TWR-MEM内存模块提供了额外的塔式系统内存容量，使用串行闪存，SD卡，MRAM和紧凑型闪存接口。该外围模块可与塔式系统中的其它MCU和外围模块组合使用。TWR-MEM带有串行闪存器件，MRAM器件，SD卡插槽和紧凑型闪存插槽。CPLD被用于连接主机处理器的外部总线接口(内存总线)和紧凑型闪存插槽。该CPLD也可以用于自定义界面的原型开发。
  • 1MB串行闪存
  • 512KB MRAM
  • SD卡槽用于记忆存储扩展或SDIO模块
  • 性能可编程CPLD
  • 紧凑型闪存接口 (通过CPLD)

嵌入式设计与开发

TWR-MEM产品信息

  硅芯制造商  NXP  
  内核架构  ColdFire  
  内核子架构  ColdFire v1, ColdFire v2, ColdFire v3  
  硅芯号  MCF51, MCF52, MCF53  
  硅芯系列号  Flexis - MCF51AC, MCF521x, MCF5301x  
  用于  Tower Development System  
  套件包含  存储电路板, 入门DVD, 入门指导文件  
  产品范围  -  
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
TWR-MEM
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MEMORY MODULE FOR TWR SYSTEM

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
TWR-MEM
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Memory IC Development Tools Memory Module for Tower

RoHS: Compliant

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TWR-MEM-PISMO
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Memory IC Development Tools Tower Memory Pismo

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
TWR-MEM
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Tower System

RoHS: Compliant

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TWR-MEM
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Flash Tower System Module

RoHS: Compliant

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Tower System (Alt: TWR-MEM)

RoHS: Compliant

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Tower System - Bulk (Alt: TWR-MEM)

RoHS: Not Compliant

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TWR-MEM
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Tower System - Bulk (Alt: TWR-MEM)

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Flash Tower System Module

RoHS: Compliant

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MEMORY MODULE, FOR TOWER SYSTEM

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
TWR-MEM
NXP TWR-MEM		1823922

NXP

Memory Tower System Module

 (EN)		搜索
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NXP USA Inc. - TWR-MEM - MEMORY MODULE FOR TWR SYSTEM		NXP USA Inc.
MEMORY MODULE FOR TWR SYSTEM

型号：TWR-MEM
仓库库存编号：TWR-MEM-ND
别名：935326999598 <br>TWRMEM <br>

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TWR-MEM|FREESCALE SEMICONDUCTORTWR-MEM
FREESCALE SEMICONDUCTOR		存储器控制器板 塔式系统
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TWR-MEM-PISMO|Freescale SemiconductorTWR-MEM-PISMO
Freescale Semiconductor		TOWER SYSTEM MEMORY PISMO
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TWR-MEM|FREESCALE SEMICONDUCTORTWR-MEM
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Freescale Semiconductor		TOWER SYSTEM MEMORY PISMO
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

TWR-MEM产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85423239
重量（千克）：
.180983
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