MB85R256FPF-G-BNDE1,2070263,芯片, 存储器, FRAM, 256K, 并行口, 3V, 28SOP,FUJITSU
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MB85R256FPF-G-BNDE1 - 

芯片, 存储器, FRAM, 256K, 并行口, 3V, 28SOP

FUJITSU MB85R256FPF-G-BNDE1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
FUJITSU FUJITSU
制造商产品编号:
MB85R256FPF-G-BNDE1
仓库库存编号:
2070263
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MB85R256FPF-G-BNDE1产品概述

The MB85R256FPF-G-BNDE1 is a 256kB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 32768 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85R256F is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R256F can be used for 101? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E2PROM.
  • High endurance 10 billion read/writes
  • Peripheral circuit CMOS construction
  • Operating power supply voltage - 2.7 to 3.6V
  • Data retention - 10 years

计算机和计算机周边, 工业

MB85R256FPF-G-BNDE1产品信息

  存储器类型  FRAM  
  存储器容量  256Kbit  
  NVRAM 内存配置  32K x 8位  
  芯片接口类型  并行  
  存取时间  70ns  
  封装类型  SOIC  
  针脚数  28引脚  
  电源电压最小值  2.7V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

MB85R256FPF-G-BNDE1相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MB85R256FPF-G-BNDE1产地与重量

原产地:
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423290
重量(千克):
.021319
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