BFP650H6327XTSA1,2443516,晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE,INFINEON
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BFP650H6327XTSA1 - 

晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE

INFINEON BFP650H6327XTSA1
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制造商产品编号:
BFP650H6327XTSA1
仓库库存编号:
2443516
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BFP650H6327XTSA1产品概述

The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.
  • Linear low-noise driver amplifier
  • Easy to use
  • Halogen-free

工业, 射频通信, 电源管理

BFP650H6327XTSA1产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  4.5V  
  过渡频率, ft  42GHz  
  功耗 Pd  500mW  
  集电极直流电流  150mA  
  直流电流增益, hFE  100hFE  
  射频晶体管封装  SOT-343  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BFP650H6327XTSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.001814
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