BSC010NE2LSIATMA1,2443417,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V,INFINEON
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BSC010NE2LSIATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

INFINEON BSC010NE2LSIATMA1
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制造商产品编号:
BSC010NE2LSIATMA1
仓库库存编号:
2443417
技术数据表:
(EN)
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BSC010NE2LSIATMA1产品概述

The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
  • Optimized for high performance buck converter
  • Monolithic integrated Schottky like diode
  • Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
  • 100% Avalanche tested
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Halogen-free
  • Reduces the number of phases in multiphase converters
  • Green device
  • Save space with smallest packages like CanPAK™
  • Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in

电源管理, 电机驱动与控制, 便携式器材, 计算机和计算机周边, 发光二极管照明

BSC010NE2LSIATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS(上)  0.0009ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  96W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSC010NE2LSIATMA1参考库存及参考价格

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2500 +  ¥8.21 
5000 +  ¥7.91 
10000 +  ¥7.6 
电话:400-900-3095
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BSC010NE2LSIATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003
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