BSC010NE2LSIATMA1,2443417,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

BSC010NE2LSIATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

INFINEON BSC010NE2LSIATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSC010NE2LSIATMA1
仓库库存编号:
2443417
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BSC010NE2LSIATMA1产品概述

The BSC010NE2LSI is a N-channel Power MOSFET features reduced power losses and increased efficiency for all load conditions. With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications.
  • Optimized for high performance buck converter
  • Monolithic integrated Schottky like diode
  • Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
  • 100% Avalanche tested
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Halogen-free
  • Reduces the number of phases in multiphase converters
  • Green device
  • Save space with smallest packages like CanPAK™
  • Minimize EMI in the system making external snubber networks obsolete and products easy to design-in

电源管理, 电机驱动与控制, 便携式器材, 计算机和计算机周边, 发光二极管照明

BSC010NE2LSIATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  25V  
  在电阻RDS(上)  0.0009ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  96W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  -  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

BSC010NE2LSIATMA1相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 100A  INFINEON 电流, Id 连续 100A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A   漏源电压, Vds 25V  INFINEON 漏源电压, Vds 25V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 25V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 25V   在电阻RDS(上) 0.0009ohm  INFINEON 在电阻RDS(上) 0.0009ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0009ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0009ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 2V  INFINEON 阈值电压 Vgs 2V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 2V   功耗 Pd 96W  INFINEON 功耗 Pd 96W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 96W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 96W   晶体管封装类型 TDSON  INFINEON 晶体管封装类型 TDSON  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TDSON  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TDSON   针脚数 8引脚  INFINEON 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 -  INFINEON 工作温度最高值 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 -   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  INFINEON 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSC010NE2LSIATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com