BSC060P03NS3EGATMA1,2432709,晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V,INFINEON
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BSC060P03NS3EGATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.5 V

INFINEON BSC060P03NS3EGATMA1
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制造商产品编号:
BSC060P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
2432709
技术数据表:
(EN)
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BSC060P03NS3EGATMA1产品概述

The BSC060P03NS3E G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
  • Enhancement-mode
  • Normal level, logic level or super logic level
  • 100% Avalanche rated
  • ESD Protected
  • Qualified to JEDEC for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 工业

BSC060P03NS3EGATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -100A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.0041ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.5V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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BSC060P03NS3EGATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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