BSC900N20NS3GATMA1,2443372,晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 200 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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BSC900N20NS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 15.2 A, 200 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON BSC900N20NS3GATMA1
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制造商产品编号:
BSC900N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
2443372
技术数据表:
 
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BSC900N20NS3GATMA1产品概述

The BSC900N20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
  • Industry's lowest RDS (ON)
  • Lowest Qg?and Qgd
  • World's lowest FOM and MSL 1 rated
  • Highest efficiency
  • Highest power density
  • Lowest board space consumption
  • Minimal device paralleling required
  • Environmentally friendly
  • Easy-to-design-in products
  • Qualified according to JEDEC for target application
  • Halogen-free, Green device

工业, 音频, 发光二极管照明, 电机驱动与控制, 电源管理

BSC900N20NS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  15.2A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  0.077ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  62.5W  
  晶体管封装类型  TDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

BSC900N20NS3GATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003
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