BSM50GD120DN2BOSA1,1496949,晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK,INFINEON
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BSM50GD120DN2BOSA1 - 

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

INFINEON BSM50GD120DN2BOSA1
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制造商产品编号:
BSM50GD120DN2BOSA1
仓库库存编号:
1496949
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSM50GD120DN2BOSA1产品概述

The BSM50GD120DN2 is an IGBT Low Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
  • 3-phase Full bridge
  • 100ns Rise time
  • 100ns Fall time
  • ±20V Gate-emitter voltage

工业

BSM50GD120DN2BOSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  集电极直流电流  72A  
  集电极发射饱和电压, Vce  3V  
  功耗 Pd  350W  
  集电极发射电压, Vceo  1.2kV  
  晶体管封装类型  EconoPACK  
  针脚数  17引脚  
  工作温度最高值  125°C  
  产品范围  -  
关键词         

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BSM50GD120DN2BOSA1参考库存及参考价格

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BSM50GD120DN2BOSA1产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.18
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