BSZ900N15NS3GATMA1,2480789,晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 150 V, 0.074 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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BSZ900N15NS3GATMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 150 V, 0.074 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON BSZ900N15NS3GATMA1
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制造商产品编号:
BSZ900N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
2480789
技术数据表:
(EN)
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BSZ900N15NS3GATMA1产品概述

The BSZ900N15NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
  • Excellent switching performance
  • World's lowest RDS (ON)
  • Very low Qg?and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • MSL1 rated 2
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
  • Normal level
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 车用, 通信与网络, 音频

BSZ900N15NS3GATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  13A  
  漏源电压, Vds  150V  
  在电阻RDS(上)  0.074ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  38W  
  晶体管封装类型  TSDSON  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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BSZ900N15NS3GATMA1参考库存及参考价格

11996 有货

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电话:400-900-3095
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BSZ900N15NS3GATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005
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