IPD079N06L3GBTMA1,2432728,晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V,INFINEON
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IPD079N06L3GBTMA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

INFINEON IPD079N06L3GBTMA1
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制造商产品编号:
IPD079N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
2432728
技术数据表:
(EN)
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IPD079N06L3GBTMA1产品概述

The IPD079N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
  • Excellent gate charge x RDS (ON)?product (FOM)
  • Very low ON-resistance RDS (ON)
  • Ideal for fast switching applications
  • MSL1 rated
  • Highest system efficiency
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot
  • Optimized technology for DC-to-DC converters
  • Normal level
  • 100% Avalanche tested
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 消费电子产品, 便携式器材, 通信与网络, 计算机和计算机周边

IPD079N06L3GBTMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  0.0063ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  79W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD079N06L3GBTMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00181
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