IPD70R1K4CEAUMA1,2750409,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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IPD70R1K4CEAUMA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 700 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPD70R1K4CEAUMA1
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制造商产品编号：
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号：
2750409
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPD70R1K4CEAUMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  5.4A  
  漏源电压, Vds  700V  
  在电阻RDS（上）  1.26ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  53W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  CoolMOS CE Series  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPD70R1K4CEAUMA1产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000426
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