IPP060N06NAKSA1,2480850,晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V,INFINEON
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IPP060N06NAKSA1 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V

INFINEON IPP060N06NAKSA1
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制造商产品编号:
IPP060N06NAKSA1
仓库库存编号:
2480850
技术数据表:
(EN)
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IPP060N06NAKSA1产品概述

The IPP060N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Very low voltage overshoot
  • MSL1 rated
  • 40% lower RDS (ON)?than alternative devices
  • 40% Improvement of FOM over similar devices
  • 100% Avalanche tested
  • Superior thermal resistance
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Halogen-free, Green device

电源管理, 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 消费电子产品, 便携式器材

IPP060N06NAKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  45A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  0.0052ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.8V  
  功耗 Pd  83W  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

IPP060N06NAKSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002008
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