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IPW65R041CFDFKSA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 68.5 A, 700 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V

INFINEON IPW65R041CFDFKSA1
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制造商产品编号:
IPW65R041CFDFKSA1
仓库库存编号:
2443408
技术数据表:
(EN)
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IPW65R041CFDFKSA1产品概述

The IPW65R041CFD is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with integrated fast body diode and improved energy efficiency. The softer commutation behaviour and therefore better EMI behaviour gives this MOSFET a clear advantage. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
  • Limited voltage overshoot during hard commutation
  • Easy to design in
  • Low switching losses due to low Qrr at repetitive commutation on body diode
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn off delay times

通信与网络, 计算机和计算机周边, 替代能源, 发光二极管照明

IPW65R041CFDFKSA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  68.5A  
  漏源电压, Vds  700V  
  在电阻RDS(上)  0.037ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  500W  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IPW65R041CFDFKSA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00542
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