SPB80P06PGATMA1,2212850,晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SPB80P06PGATMA1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

INFINEON SPB80P06PGATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SPB80P06PGATMA1
仓库库存编号:
2212850
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SPB80P06PGATMA1产品概述

The SPB80P06P G is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • dv/dt Rated
  • AEC-Q101 qualified

车用, 消费电子产品, 电源管理, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边

SPB80P06PGATMA1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -80A  
  漏源电压, Vds  -60V  
  在电阻RDS(上)  0.021ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  340W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SPB80P06PGATMA1关联产品

SPB80P06PGATMA1相关搜索

晶体管极性 P沟道  INFINEON 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -80A  INFINEON 电流, Id 连续 -80A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -80A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -80A   漏源电压, Vds -60V  INFINEON 漏源电压, Vds -60V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V   在电阻RDS(上) 0.021ohm  INFINEON 在电阻RDS(上) 0.021ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.021ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.021ohm   电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -3V  INFINEON 阈值电压 Vgs -3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V   功耗 Pd 340W  INFINEON 功耗 Pd 340W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 340W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 340W   晶体管封装类型 TO-263  INFINEON 晶体管封装类型 TO-263  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  INFINEON 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 汽车质量标准 AEC-Q101  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 AEC-Q101   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPB80P06PGATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00181
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com