SPD06N60C3ATMA1,1664109,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V,INFINEON
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SPD06N60C3ATMA1 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON SPD06N60C3ATMA1
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制造商产品编号:
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号:
1664109
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SPD06N60C3ATMA1产品概述

The SPD06N60C3 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for server, telecom, PC power and adapter applications.
  • New revolutionary high voltage technology
  • Extreme dV/dt rated
  • High peak current capability
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Improved transconductance
  • Periodic avalanche rated
  • Low specific ON-state resistance
  • Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
  • Field proven CoolMOS™ quality
  • High efficiency and power density
  • Outstanding performance
  • High reliability
  • Ease of use

工业, 通信与网络, 消费电子产品, 电源管理

SPD06N60C3ATMA1产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6.2A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS(上)  0.68ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  74W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

SPD06N60C3ATMA1产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003
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