IS61WV10248BLL-10TLI,2253838,芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 10NS, 44TSOPII,INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
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IS61WV10248BLL-10TLI - 

芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 10NS, 44TSOPII

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61WV10248BLL-10TLI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IS61WV10248BLL-10TLI
仓库库存编号:
2253838
技术数据表:
(EN)
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IS61WV10248BLL-10TLI产品概述

The IS61WV10248BLL-10TLI is a 1M x 8-bit high-speed low power CMOS Static Random Access Memory (SRAM) fabricated using ISSI's high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. It operates from a single power supply and all inputs are TTL-compatible.
  • High-speed access time - 10ns
  • High-performance, low-power CMOS process
  • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
  • Easy memory expansion with CE and OE
  • CE Power-down
  • Fully static operation - no clock or refresh required

计算机和计算机周边, 工业, 通信与网络, 消费电子产品

IS61WV10248BLL-10TLI产品信息

  存储器容量  8Mbit  
  SRAM 内存配置  1M x 8位  
  电源电压范围  2.4V 至 3.6V  
  封装类型  TSOP-II  
  针脚数  44引脚  
  存取时间  10ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS61WV10248BLL-10TLI产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.008391
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