IS61WV51216BLL-10TLI,2253837,芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 10NS, 44TSOPII,INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
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IS61WV51216BLL-10TLI - 

芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 10NS, 44TSOPII

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61WV51216BLL-10TLI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IS61WV51216BLL-10TLI
仓库库存编号:
2253837
技术数据表:
(EN)
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IS61WV51216BLL-10TLI产品概述

The IS61WV51216BLL-10TLI is a 8Mb high-speed static RAM organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access.
  • High-performance, low-power CMOS process
  • Multiple centre power and ground pins for greater noise immunity
  • Easy memory expansion with CE and OE options
  • CE power-down
  • Fully static operation, no clock or refresh required
  • TTL compatible inputs and outputs
  • Data control for upper and lower bytes

工业, 车用

IS61WV51216BLL-10TLI产品信息

  存储器容量  8Mbit  
  SRAM 内存配置  512K x 16位  
  电源电压范围  2.4V 至 3.6V  
  封装类型  TSOP-II  
  针脚数  44引脚  
  存取时间  10ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS61WV51216BLL-10TLI产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.002188
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