IR2125PBF,9101721,功率芯片, 高压侧和低压侧, 0V-18V电源, 3.3A输出, 200ns延迟, DIP-8,INFINEON
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IR2125PBF - 

功率芯片, 高压侧和低压侧, 0V-18V电源, 3.3A输出, 200ns延迟, DIP-8

INFINEON IR2125PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IR2125PBF
仓库库存编号:
9101721
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IR2125PBF产品概述

The IR2125PBF is a 1-channel high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with over-current limiting protection circuitry. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs and down to 2.5V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and limits the gate drive voltage. Cycle-by-cycle shutdown is programmed by an external capacitor which directly controls the time interval between detection of the over-current limiting conditions and latched shutdown. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 500V.
  • Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
  • Under-voltage lockout
  • Current detection and limiting loop to limit driven power transistor current
  • Error lead indicates fault conditions and programs shutdown time
  • Output in phase with input

工业, 消费电子产品

IR2125PBF产品信息

  驱动配置  高压侧和低压侧  
  输出电流峰值  3.3A  
  电源电压最小值  0V  
  电源电压最大值  18V  
  驱动器封装类型  DIP  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  170ns  
  输出延迟  200ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IR2125PBF产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423990
重量(千克):
.000993
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