IRF5305PBF,8648255,晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V,INFINEON
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IRF5305PBF - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON IRF5305PBF
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制造商产品编号:
IRF5305PBF
仓库库存编号:
8648255
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF5305PBF产品概述

The IRF5305PBF from International Rectifier is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
  • Drain to source voltage Vds is -55V
  • Gate to source voltage is ±20V
  • On resistance Rds(on) of 60mohm at Vgs of -10V
  • Power dissipation Pd of 110W at 25°C
  • Continuous drain current Id of -31A at Vgs -10V and 25°C
  • Junction temperature range from -55°C to 175°C

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

IRF5305PBF产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -31A  
  漏源电压, Vds  -55V  
  在电阻RDS(上)  0.06ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  110W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IRF5305PBF产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002654
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