IRF640NPBF,8648379,晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IRF640NPBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V

INFINEON IRF640NPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRF640NPBF
仓库库存编号:
8648379
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IRF640NPBF产品概述

The IRF640NPBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
  • Drain to source voltage Vds is 200V
  • Gate to source voltage is ±20V
  • On resistance Rds(on) of 150mohm
  • Power dissipation Pd of 150W at 25°C
  • Continuous drain current Id of 18A at Vgs 10V and 25°C
  • Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

IRF640NPBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  18A  
  漏源电压, Vds  200V  
  在电阻RDS(上)  0.15ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  150W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
关键词         

IRF640NPBF相关搜索

晶体管极性 N沟道  INFINEON 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 18A  INFINEON 电流, Id 连续 18A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 18A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 18A   漏源电压, Vds 200V  INFINEON 漏源电压, Vds 200V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 200V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 200V   在电阻RDS(上) 0.15ohm  INFINEON 在电阻RDS(上) 0.15ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.15ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.15ohm   电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4V  INFINEON 阈值电压 Vgs 4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 4V   功耗 Pd 150W  INFINEON 功耗 Pd 150W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 150W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 150W   晶体管封装类型 TO-220AB  INFINEON 晶体管封装类型 TO-220AB  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-220AB   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 175°C  INFINEON 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  INFINEON 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL -  INFINEON MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF640NPBF产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002041
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com