IRFR5305TRPBF,2097998,晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V,INFINEON
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IRFR5305TRPBF - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON IRFR5305TRPBF
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制造商产品编号:
IRFR5305TRPBF
仓库库存编号:
2097998
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRFR5305TRPBF产品概述

The IRFR5305TRPBF is a -55V single P-channel HEXFET? Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
  • Ultra low on-resistance
  • Advanced process technology
  • Fully avalanche rated

电源管理

IRFR5305TRPBF产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -31A  
  漏源电压, Vds  -55V  
  在电阻RDS(上)  65mohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  110W  
  晶体管封装类型  TO-252AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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IRFR5305TRPBF产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00023
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