IRFR9024NPBF,8649863,晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V,INFINEON
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IRFR9024NPBF - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

INFINEON IRFR9024NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRFR9024NPBF
仓库库存编号：
8649863
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IRFR9024NPBF产品概述

The IRFR9024NPBF is a P-channel HEXFET? Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fully avalanche rated
  • Advanced process technology

电源管理

IRFR9024NPBF产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -11A  
  漏源电压, Vds  -55V  
  在电阻RDS（上）  0.175ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  38W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

IRFR9024NPBF替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

IRFR9024NPBF相关搜索

晶体管极性 P沟道  INFINEON 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -11A  INFINEON 电流, Id 连续 -11A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -11A  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -11A   漏源电压, Vds -55V  INFINEON 漏源电压, Vds -55V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -55V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -55V   在电阻RDS（上） 0.175ohm  INFINEON 在电阻RDS（上） 0.175ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.175ohm  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.175ohm   电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -4V  INFINEON 阈值电压 Vgs -4V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -4V   功耗 Pd 38W  INFINEON 功耗 Pd 38W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 38W  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 38W   晶体管封装类型 TO-252  INFINEON 晶体管封装类型 TO-252  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-252  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-252   针脚数 3引脚  INFINEON 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  INFINEON 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  INFINEON 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  INFINEON 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  INFINEON MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  INFINEON 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFR9024NPBF产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000635
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com