IRLL110PBF,1704016,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V,INFINEON
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IRLL110PBF - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V

INFINEON IRLL110PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRLL110PBF
仓库库存编号:
1704016
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLL110PBF产品概述

The IRLL110PBF is a 100V single N-channel HEXFET? Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The power MOSFET is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place, it has added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.
  • Dynamic dV/dt rating
  • Repetitive avalanche rated
  • Logic level gate drive
  • RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
  • Fast switching

电源管理

IRLL110PBF产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  1.5A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  540mohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  3.1W  
  晶体管封装类型  SOT-223  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IRLL110PBF替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRLL110PBF产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
Y-Ex
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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