IRLML6402TRPBF,9103503,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV,INFINEON
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IRLML6402TRPBF - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV

INFINEON IRLML6402TRPBF
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制造商产品编号:
IRLML6402TRPBF
仓库库存编号:
9103503
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRLML6402TRPBF产品概述

The IRLML6402PBF from International Rectifier is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
  • Drain to source voltage (Vds) of -20V
  • Gate to source voltage of ±12V
  • On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
  • Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
  • Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
  • Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

IRLML6402TRPBF产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3.7A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS(上)  0.065ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -550mV  
  功耗 Pd  1.3W  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
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IRLML6402TRPBF产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000091
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