IRS21531DPBF,1498199,双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8,INFINEON
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IRS21531DPBF - 

双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8

INFINEON IRS21531DPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IRS21531DPBF
仓库库存编号:
1498199
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRS21531DPBF产品概述

The IRS21531DPBF is a self-oscillating half-bridge Gate Driver IC using a more advanced silicon platform and incorporates a high voltage half-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. The HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugged monolithic construction. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Noise immunity is achieved with low di/dt peak of the gate driver. It is based on the popular IR2153 self-oscillating half-bridge gate driver IC.
  • CT, RT programmable oscillator
  • Micropower start-up
  • Non-latched shutdown on CT pin
  • Internal bootstrap FET
  • Excellent latch immunity on all inputs and outputs
  • ±50V/ns dV/dt Immunity
  • ESD protection on all pins
  • Internal dead time

工业

IRS21531DPBF产品信息

  驱动配置  半桥  
  输出电流峰值  260mA  
  电源电压最小值  10.1V  
  电源电压最大值  16.8V  
  驱动器封装类型  DIP  
  针脚数  8引脚  
  输入延迟  -  
  输出延迟  350ns  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  125°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IRS21531DPBF产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423190
重量(千克):
.001
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