IXFK80N60P3,2429714,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFK80N60P3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 A, 600 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK80N60P3
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制造商产品编号:
IXFK80N60P3
仓库库存编号:
2429714
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFK80N60P3产品概述

The IXFK80N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3? Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET?) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET?) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
  • Dynamic dV/dt rating
  • Avalanche rated
  • Low Qg
  • Low drain-to-tab capacitance
  • Low inductance
  • Easy to mount
  • Space-saving s

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

IXFK80N60P3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  80A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  0.077ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  1.3kW  
  晶体管封装类型  TO-264AA  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFK80N60P3产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.01
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