IXFN48N50,9359230,晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFN48N50 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IXFN48N50
仓库库存编号:
9359230
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN48N50产品概述

The IXFN48N50 is a 500V N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HIPERFET?). The most popular power MOSFET is for both hard switching and resonant mode applications, offering low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. It is suitable for use with DC-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, switched-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, temperature and lighting controls.
  • Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
  • SOT-227B miniBLOC with aluminum nitride isolation
  • Low RDS (on) HDMOSTM process
  • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
  • Fast intrinsic rectifier
  • Easy to mount
  • Space savings
  • High power density

电源管理, 照明, 工业

IXFN48N50产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  48A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS(上)  100mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  520W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFN48N50产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.038102
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