IXFN60N60,4905623,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

IXFN60N60 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N60
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IXFN60N60
仓库库存编号:
4905623
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXFN60N60产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  60A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS(上)  75mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4.5V  
  功耗 Pd  600W  
  晶体管封装类型  ISOTOP  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  -  
关键词         

IXFN60N60相关搜索

晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 60A  IXYS SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 60A  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 60A  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 60A   漏源电压, Vds 600V  IXYS SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 600V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V   在电阻RDS(上) 75mohm  IXYS SEMICONDUCTOR 在电阻RDS(上) 75mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS(上) 75mohm  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS(上) 75mohm   电压 @ Rds测量 10V  IXYS SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 4.5V  IXYS SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 4.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4.5V  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4.5V   功耗 Pd 600W  IXYS SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 600W  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 600W  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 600W   晶体管封装类型 ISOTOP  IXYS SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 ISOTOP  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 ISOTOP  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 ISOTOP   针脚数 3引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  IXYS SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  IXYS SEMICONDUCTOR 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -   MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR MSL -  场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFN60N60产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.04
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com