IXFR200N10P,1300096,晶体管, MOSFET, N沟道, 133 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V,IXYS SEMICONDUCTOR
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IXFR200N10P - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 133 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V

IXYS SEMICONDUCTOR IXFR200N10P
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制造商产品编号:
IXFR200N10P
仓库库存编号:
1300096
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFR200N10P产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  133A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS(上)  9mohm  
  电压 @ Rds测量  15V  
  阈值电压 Vgs  5V  
  功耗 Pd  300W  
  晶体管封装类型  ISOPLUS-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXFR200N10P产地与重量

原产地:
Germany

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.005
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