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IXGH48N60B3C1 - 

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

IXYS SEMICONDUCTOR IXGH48N60B3C1
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制造商产品编号:
IXGH48N60B3C1
仓库库存编号:
1829733
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXGH48N60B3C1产品信息

  集电极直流电流  75A  
  集电极发射饱和电压, Vce  1.8V  
  功耗 Pd  300W  
  集电极发射电压, Vceo  600V  
  晶体管封装类型  TO-247  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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IXGH48N60B3C1产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.006
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