23LCV1024-I/SN,2291919,芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 1MB, 2.5-5.5V, 8SOIC,MICROCHIP
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

23LCV1024-I/SN - 

芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 1MB, 2.5-5.5V, 8SOIC

MICROCHIP 23LCV1024-I/SN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
23LCV1024-I/SN
仓库库存编号:
2291919
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

23LCV1024-I/SN产品概述

The 23LCV1024-I/SN is a 1Mb SPI Serial SRAM with battery backup and SDI interface. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) is supported if application needs faster data rates. The SRAM can be battery backed via the Vbat pin essentially making the SRAM non-volatile. The device also supports unlimited read and write cycles to the array.
  • SPI-compatible bus interface - 20MHz clock rate, SPI/SDI mode
  • Low-power CMOS technology
  • 3mA at 3.6V, 20MHz Read current
  • 4μA at +85°C Maximum standby current
  • Unlimited read and write cycles
  • Zero write time
  • 32-byte page
  • Battery-backed SRAM support via Vbat Pin, automatic switchover to Vbat
  • Sequential mode reads and writes
  • High reliability

通信与网络

23LCV1024-I/SN产品信息

  存储器容量  1Mbit  
  SRAM 内存配置  128K x 8位  
  电源电压范围  2.5V 至 5.5V  
  封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  存取时间  -  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

23LCV1024-I/SN关联产品

23LCV1024-I/SN相关搜索

存储器容量 1Mbit  MICROCHIP 存储器容量 1Mbit  SRAM 存储器容量 1Mbit  MICROCHIP SRAM 存储器容量 1Mbit   SRAM 内存配置 128K x 8位  MICROCHIP SRAM 内存配置 128K x 8位  SRAM SRAM 内存配置 128K x 8位  MICROCHIP SRAM SRAM 内存配置 128K x 8位   电源电压范围 2.5V 至 5.5V  MICROCHIP 电源电压范围 2.5V 至 5.5V  SRAM 电源电压范围 2.5V 至 5.5V  MICROCHIP SRAM 电源电压范围 2.5V 至 5.5V   封装类型 SOIC  MICROCHIP 封装类型 SOIC  SRAM 封装类型 SOIC  MICROCHIP SRAM 封装类型 SOIC   针脚数 8引脚  MICROCHIP 针脚数 8引脚  SRAM 针脚数 8引脚  MICROCHIP SRAM 针脚数 8引脚   存取时间 -  MICROCHIP 存取时间 -  SRAM 存取时间 -  MICROCHIP SRAM 存取时间 -   工作温度最小值 -40°C  MICROCHIP 工作温度最小值 -40°C  SRAM 工作温度最小值 -40°C  MICROCHIP SRAM 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 85°C  MICROCHIP 工作温度最高值 85°C  SRAM 工作温度最高值 85°C  MICROCHIP SRAM 工作温度最高值 85°C   封装 每个  MICROCHIP 封装 每个  SRAM 封装 每个  MICROCHIP SRAM 封装 每个   产品范围 -  MICROCHIP 产品范围 -  SRAM 产品范围 -  MICROCHIP SRAM 产品范围 -   汽车质量标准 -  MICROCHIP 汽车质量标准 -  SRAM 汽车质量标准 -  MICROCHIP SRAM 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  MICROCHIP MSL MSL 1 -无限制  SRAM MSL MSL 1 -无限制  MICROCHIP SRAM MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

23LCV1024-I/SN产地与重量

原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423245
重量(千克):
.000175
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com