SST39SF010A-70-4I-NHE,1829976,闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 并行, LCC, 32 引脚,MICROCHIP
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SST39SF010A-70-4I-NHE - 

闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 并行, LCC, 32 引脚

MICROCHIP SST39SF010A-70-4I-NHE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SST39SF010A-70-4I-NHE
仓库库存编号:
1829976
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SST39SF010A-70-4I-NHE产品概述

The SST39SF010A-70-4I-NHE is a 1MB multi-purpose Flash Device with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunnelling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39SF010A write (program or erase) with a 4.5 to 5.5V power supply and conforms to JEDEC standard pinouts for x8 memories. The SST39SF010A device provide a maximum Byte-Program time of 20μs. This device use toggle bit or data# polling to indicate the completion of program operation. To protect against inadvertent write, they have on-chip hardware and software data protection schemes. The SST39SF010A device is suited for applications that require convenient and economical updating of program, configuration or data memory. For all system applications, they significantly improve performance and reliability, while lowering power consumption.
  • Low power consumption
  • Sector-erase capability - Uniform 4kB sectors
  • Latched address and data
  • Automatic write timing - Internal VPP generation
  • 10000 cycles Minimum endurance

工业

SST39SF010A-70-4I-NHE产品信息

  存储器容量  1Mbit  
  闪存配置  128K x 8位  
  时钟频率  -  
  芯片接口类型  并行  
  封装类型  LCC  
  针脚数  32引脚  
  存取时间  70ns  
  电源电压最小值  4.5V  
  电源电压最大值  5.5V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  5V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

SST39SF010A-70-4I-NHE替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SST39SF010A-70-4I-NHE产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.002703
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