JR28F064M29EWLA,2253702,闪存, 或非, 64 Mbit, 8M x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚,MICRON
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JR28F064M29EWLA - 

闪存, 或非, 64 Mbit, 8M x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚

MICRON JR28F064M29EWLA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
MICRON MICRON
制造商产品编号:
JR28F064M29EWLA
仓库库存编号:
2253702
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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JR28F064M29EWLA产品概述

The JR28F064M29EWLA is a 64MB asynchronous parallel NOR Flash EMBedded Memory manufactured on 65nm single-bit cell (SBC) technology. READ, ERASE and PROGRAM operations are performed using a single low-voltage supply. Upon power-up, the device defaults to read array mode. The main memory array is divided into uniform blocks that can be erased independently so that valid data can be preserved while old data is purged. An on-chip program/erase controller simplifies the process of programming or erasing the memory by taking care of all special operations required to update the memory contents. The end of a PROGRAM or ERASE operation can be detected and any error condition can be identified. The command set required to control the device is consistent with JEDEC standards. The M29EW supports asynchronous random read and page read from all blocks of the array. It also features an internal program buffer that improves throughput by programming 256 words via one command sequence.
  • Asynchronous random or page read
  • Page access - 25ns
  • Buffer program - 256-word MAX program buffer
  • Program/erase controller - embedded byte/word program algorithms
  • Program/erase suspend and resume capability
  • READ operation on another block during a PROGRAM SUSPEND operation
  • READ or PROGRAM operation on one block during an ERASE SUSPEND operation on another block
  • BLANK CHECK operation to verify an erased block
  • Unlock bypass, block erase, chip erase and write to buffer capability
  • Fast buffered/batch programming
  • Fast block and chip erase
  • VPPH voltage on VPP to accelerate programming performance
  • Protects highest/lowest block or top/bottom two blocks
  • Software protection
  • Extended memory block
  • Program or lock implemented at the factory or by the customer
  • Low-power consumption - standby mode
  • 65nm Single-bit cell process technology

计算机和计算机周边, 工业, 通信与网络, 消费电子产品

JR28F064M29EWLA产品信息

  存储器容量  64Mbit  
  闪存配置  8M x 8位  
  时钟频率  -  
  芯片接口类型  并行  
  封装类型  TSOP  
  针脚数  48引脚  
  存取时间  70ns  
  电源电压最小值  2.7V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  3V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

JR28F064M29EWLA产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.004418
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