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M29W160EB70N6E - 

闪存, 引导块, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚

MICRON M29W160EB70N6E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
MICRON MICRON
制造商产品编号:
M29W160EB70N6E
仓库库存编号:
1099690
技术数据表:
(EN)
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M29W160EB70N6E产品概述

The M29W160EB70N6E is a parallel NOR non-volatile Flash Embedded Memory Device that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage 2.7 to 3.6V supply. On power-up the memory defaults to read mode where it can be read in the same way as a ROM or EPROM. The device is divided into blocks that can be erased independently to preserve valid data while old data is erased. Each block can be protected independently to prevent accidental program or erase commands from modifying the memory. Program and erase commands are written to the command interface of the memory. An on-chip program/erase controller simplifies the process of programming or erasing the memory by taking care of all of the special operations that are required to update the memory contents. The end of a program or erase operation can be detected and any error conditions identified. The command set required to control the memory is consistent with JEDEC standards.
  • Program/erase controller - Embedded byte/word program algorithms
  • Unlock bypass program command - Fast buffered/batch programming
  • Temporary block unprotect mode
  • Low power consumption - standby and automatic mode
  • 100000 Program/erase cycles per block

通信与网络

M29W160EB70N6E产品信息

  存储器容量  16Mbit  
  闪存配置  2M x 8位 / 1M x 16位  
  时钟频率  -  
  芯片接口类型  CFI, 并行  
  封装类型  TSOP  
  针脚数  48引脚  
  存取时间  70ns  
  电源电压最小值  2.7V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  3V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

M29W160EB70N6E相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

M29W160EB70N6E产地与重量

原产地:
Italy

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.002
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