M29W320EB70ZE6E,1734995,闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚,MICRON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

M29W320EB70ZE6E - 

闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚

MICRON M29W320EB70ZE6E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
MICRON MICRON
制造商产品编号:
M29W320EB70ZE6E
仓库库存编号:
1734995
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

M29W320EB70ZE6E产品概述

The M29W320EB70ZE6E is a 32MB non-volatile Flash Memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage 2.7 to 3.6V supply. On power-up the memory defaults to its Read mode. The M29W320E has an array of 8 parameter and 63 main blocks. M29W320EB locates the parameter blocks starting from the bottom. M29W320E has an extra 32K word (x16 mode) or 64 Kbyte (x8 mode) block, the extended block that can be accessed using a dedicated command. The extended block can be protected and so is useful for storing security information. However the protection is irreversible, once protected the protection cannot be undone. Each block can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased. The blocks can be protected to prevent accidental program or erase commands from modifying the memory. Program and erase commands are written to the command interface of the memory.
  • Asymmetrical block architecture
  • Access time - 70ns
  • Programming time - 10μs per byte/word typical
  • Double word/quadruple byte program
  • Unlock bypass program command - Faster production/batch programming
  • VPP/WP Pin for fast program and write protect
  • Temporary block unprotection mode
  • Common flash interface - 64-bit security code
  • Extended memory block - extra block used as security block or to store additional information
  • Low power consumption - standby and automatic standby
  • 100000 Program/erase cycles per block
  • Electronic signature

计算机和计算机周边, 工业, 通信与网络, 消费电子产品

M29W320EB70ZE6E产品信息

  存储器容量  32Mbit  
  闪存配置  4M x 8位 / 2M x 16位  
  时钟频率  -  
  芯片接口类型  CFI, 并行  
  封装类型  TFBGA  
  针脚数  48引脚  
  存取时间  70ns  
  电源电压最小值  2.7V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  3V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

M29W320EB70ZE6E相关搜索

存储器容量 32Mbit  MICRON 存储器容量 32Mbit  闪存 存储器容量 32Mbit  MICRON 闪存 存储器容量 32Mbit   闪存配置 4M x 8位 / 2M x 16位  MICRON 闪存配置 4M x 8位 / 2M x 16位  闪存 闪存配置 4M x 8位 / 2M x 16位  MICRON 闪存 闪存配置 4M x 8位 / 2M x 16位   时钟频率 -  MICRON 时钟频率 -  闪存 时钟频率 -  MICRON 闪存 时钟频率 -   芯片接口类型 CFI, 并行  MICRON 芯片接口类型 CFI, 并行  闪存 芯片接口类型 CFI, 并行  MICRON 闪存 芯片接口类型 CFI, 并行   封装类型 TFBGA  MICRON 封装类型 TFBGA  闪存 封装类型 TFBGA  MICRON 闪存 封装类型 TFBGA   针脚数 48引脚  MICRON 针脚数 48引脚  闪存 针脚数 48引脚  MICRON 闪存 针脚数 48引脚   存取时间 70ns  MICRON 存取时间 70ns  闪存 存取时间 70ns  MICRON 闪存 存取时间 70ns   电源电压最小值 2.7V  MICRON 电源电压最小值 2.7V  闪存 电源电压最小值 2.7V  MICRON 闪存 电源电压最小值 2.7V   电源电压最大值 3.6V  MICRON 电源电压最大值 3.6V  闪存 电源电压最大值 3.6V  MICRON 闪存 电源电压最大值 3.6V   工作温度最小值 -40°C  MICRON 工作温度最小值 -40°C  闪存 工作温度最小值 -40°C  MICRON 闪存 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 85°C  MICRON 工作温度最高值 85°C  闪存 工作温度最高值 85°C  MICRON 闪存 工作温度最高值 85°C   封装 每个  MICRON 封装 每个  闪存 封装 每个  MICRON 闪存 封装 每个   产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  MICRON 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  MICRON 闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories   MSL MSL 3 - 168小时  MICRON MSL MSL 3 - 168小时  闪存 MSL MSL 3 - 168小时  MICRON 闪存 MSL MSL 3 - 168小时  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

M29W320EB70ZE6E产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.000252
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com