PC28F640P33TF60A,2253688,闪存, 或非, 64 Mbit, 512K x 16位, 52 MHz, 并行, BGA, 64 引脚,MICRON
laird代理商
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

PC28F640P33TF60A - 

闪存, 或非, 64 Mbit, 512K x 16位, 52 MHz, 并行, BGA, 64 引脚

MICRON PC28F640P33TF60A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
MICRON MICRON
制造商产品编号:
PC28F640P33TF60A
仓库库存编号:
2253688
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PC28F640P33TF60A产品概述

The PC28F640P33TF60A is a 64MB NOR Flash Memory provides high performance at low voltage on a 16-bit data bus. Individually erasable memory blocks are sized for optimum code and data storage. Upon initial power-up or return from reset, the device defaults to asynchronous page-mode read. Configuring the RCR enables synchronous burst-mode reads. In synchronous burst mode, output data is synchronized with user-supplied clock signal. A WAIT signal provides an easy CPU-to-flash memory synchronization. In addition to the enhanced architecture and interface, the device incorporates technology that enables fast factory program and erase operations. The device features a 256-word buffer to enable optimum programming performance, which can improve system programming throughput time significantly to 1.8Mbyte/s. The P33-65nm SBC device supports read operations with VCC at 3V and erase and program operations with VPP at 3/9V.
  • High performance - 60ns initial access time
  • Asymmetrically-blocked architecture
  • Absolute write protection - VPP = VSS
  • Power-transition erase/program lockout
  • Individual zero-latency block locking
  • Individual block lock-down capability
  • Password access
  • 20μs Typical program/erase suspend
  • Basic command set and extended function Interface (EFI) command set compatible
  • Common flash interface capable
  • Minimum 100000 erase cycles per block
  • 65nm Process technology

计算机和计算机周边, 工业, 通信与网络, 消费电子产品

PC28F640P33TF60A产品信息

  存储器容量  64Mbit  
  闪存配置  512K x 16位  
  时钟频率  52MHz  
  芯片接口类型  并行  
  封装类型  BGA  
  针脚数  64引脚  
  存取时间  60ns  
  电源电压最小值  2.3V  
  电源电压最大值  3.6V  
  工作温度最小值  -40°C  
  工作温度最高值  85°C  
  封装  每个  
  产品范围  3V Parallel NOR Flash Memories  
  MSL  MSL 3 - 168小时  
关键词         

PC28F640P33TF60A相关搜索

存储器容量 64Mbit  MICRON 存储器容量 64Mbit  闪存 存储器容量 64Mbit  MICRON 闪存 存储器容量 64Mbit   闪存配置 512K x 16位  MICRON 闪存配置 512K x 16位  闪存 闪存配置 512K x 16位  MICRON 闪存 闪存配置 512K x 16位   时钟频率 52MHz  MICRON 时钟频率 52MHz  闪存 时钟频率 52MHz  MICRON 闪存 时钟频率 52MHz   芯片接口类型 并行  MICRON 芯片接口类型 并行  闪存 芯片接口类型 并行  MICRON 闪存 芯片接口类型 并行   封装类型 BGA  MICRON 封装类型 BGA  闪存 封装类型 BGA  MICRON 闪存 封装类型 BGA   针脚数 64引脚  MICRON 针脚数 64引脚  闪存 针脚数 64引脚  MICRON 闪存 针脚数 64引脚   存取时间 60ns  MICRON 存取时间 60ns  闪存 存取时间 60ns  MICRON 闪存 存取时间 60ns   电源电压最小值 2.3V  MICRON 电源电压最小值 2.3V  闪存 电源电压最小值 2.3V  MICRON 闪存 电源电压最小值 2.3V   电源电压最大值 3.6V  MICRON 电源电压最大值 3.6V  闪存 电源电压最大值 3.6V  MICRON 闪存 电源电压最大值 3.6V   工作温度最小值 -40°C  MICRON 工作温度最小值 -40°C  闪存 工作温度最小值 -40°C  MICRON 闪存 工作温度最小值 -40°C   工作温度最高值 85°C  MICRON 工作温度最高值 85°C  闪存 工作温度最高值 85°C  MICRON 闪存 工作温度最高值 85°C   封装 每个  MICRON 封装 每个  闪存 封装 每个  MICRON 闪存 封装 每个   产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  MICRON 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories  MICRON 闪存 产品范围 3V Parallel NOR Flash Memories   MSL MSL 3 - 168小时  MICRON MSL MSL 3 - 168小时  闪存 MSL MSL 3 - 168小时  MICRON 闪存 MSL MSL 3 - 168小时  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PC28F640P33TF60A产地与重量

原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85423261
重量(千克):
.00025
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:800152669 邮箱:sales@szcwdz.com