BF998,1081286RL,晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B,NXP
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BF998 - 

晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B

NXP BF998
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NXP NXP
制造商产品编号:
BF998
仓库库存编号:
1081286RL
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BF998产品概述

The BF998 from NXP is a surface mount, silicon N channel dual gate MOSFET in SOT143B package. This is an depletion type field effect transistor in plastic microminiature with source and substrate interconnected, transistors are protected against input voltage surges by integrated back to back diodes between gates and source. Features high forward transfer admittance to input capacitance ratio and low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz. BF998 is used in professional communication equipment and VHF and UHF television tuners.
  • Drain to source voltage (Vds) of 12V
  • Drain current of 30mA
  • Power dissipation of 200mW
  • Operating junction temperature of 150°C

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

BF998产品信息

  漏源电压, Vds  12V  
  电流, Id 连续  30mA  
  功耗 Pd  200mW  
  工作频率最小值  -  
  运行频率最大值  -  
  射频晶体管封装  SOT-143B  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BF998产地与重量

原产地:
Great Britain

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000047
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